IGBT cm30md1-12h

Описание IGBT CM30MD1-12H

IGBT CM30MD1-12H – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Модуль обладает высокой перегрузочной способностью, низкими потерями проводимости и переключения, а также устойчивостью к высоким температурам.

Основные сферы применения:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Промышленные приводы

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 30 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 60 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 2.1 В (при I_C = 30 А) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 220 нс |
| Максимальная рабочая температура (T_j) | 150 °C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |
| Встроенный обратный диод | Да (Fast Recovery Diode) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N120B3D (Microsemi)
• IXGH30N120B3D1 (IXYS/Littelfuse)
• STGW30NC120HD (STMicroelectronics)

Совместимые модули в схожих корпусах:

• CM30MD1-12H (оригинал, вероятно от Powerex/Mitsubishi)
• Mitsubishi CM30DY-12H (двойной IGBT модуль)
• Fuji 2MBI30U-120 (двухключевой модуль)

Примечания

1. Перед заменой рекомендуется сверять распиновку и характеристики.
2. Наличие встроенного диода важно для инверторных схем.
3. Для высокочастотных применений лучше выбирать модели с меньшим временем переключения.

Если вам нужна точная замена, уточните производителя оригинального модуля.