IGBT CM430855

Описание IGBT CM430855

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) CM430855 – это силовой полупроводниковый модуль, применяемый в импульсных преобразователях, инверторах и системах управления электродвигателями. Он сочетает преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии).

Технические характеристики

• Тип: IGBT модуль
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): [уточнить, например, 600 В, 1200 В]
• Ток коллектора (I_C): [уточнить, например, 30 А, 50 А]
• Ток импульсный (I_CM): [уточнить, например, 60 А, 100 А]
• Мощность рассеивания (P_tot): [уточнить, например, 200 Вт]
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В (стандартное для IGBT)
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): [уточнить, например, 0.3 °C/Вт]
• Температура перехода (T_j): -40 °C до +150 °C
• Корпус: [например, TO-247, модуль с изолированным основанием]

(Точные параметры зависят от производителя и серии. Рекомендуется проверять даташит.)

Парт-номера и аналоги

Оригинальные замены:

• CM430855 (оригинальный номер)
• [Другие номера от того же производителя, например, CM400HA-24H, если серия совпадает]

Совместимые модели и аналоги:

• Infineon: [например, IKW40N65H5, если параметры близки]
• Fuji Electric: [например, 2MBI100U4B-060]
• Mitsubishi: [например, CM300DY-24H]
• STMicroelectronics: [например, STGW40H65DFB]

(Аналоги должны подбираться по характеристикам V_CES, I_C, корпусу и пинам!)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Если вам нужны точные данные, укажите производителя или прикрепите даташит – помогу с деталями!