IGBT CM430855

Артикул: 297512
Требуется установка или ремонт?
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT CM430855
Описание IGBT CM430855
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) CM430855 – это силовой полупроводниковый модуль, применяемый в импульсных преобразователях, инверторах и системах управления электродвигателями. Он сочетает преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии).
Технические характеристики
- Тип: IGBT модуль
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): [уточнить, например, 600 В, 1200 В]
- Ток коллектора (IC): [уточнить, например, 30 А, 50 А]
- Ток импульсный (ICM): [уточнить, например, 60 А, 100 А]
- Мощность рассеивания (Ptot): [уточнить, например, 200 Вт]
- Напряжение затвор-эмиттер (VGE): ±20 В (стандартное для IGBT)
- Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): [уточнить, например, 0.3 °C/Вт]
- Температура перехода (Tj): -40 °C до +150 °C
- Корпус: [например, TO-247, модуль с изолированным основанием]
(Точные параметры зависят от производителя и серии. Рекомендуется проверять даташит.)
Парт-номера и аналоги
Оригинальные замены:
- CM430855 (оригинальный номер)
- [Другие номера от того же производителя, например, CM400HA-24H, если серия совпадает]
Совместимые модели и аналоги:
- Infineon: [например, IKW40N65H5, если параметры близки]
- Fuji Electric: [например, 2MBI100U4B-060]
- Mitsubishi: [например, CM300DY-24H]
- STMicroelectronics: [например, STGW40H65DFB]
(Аналоги должны подбираться по характеристикам VCES, IC, корпусу и пинам!)
Применение
- Промышленные частотные преобразователи
- Сварочные инверторы
- Управление электродвигателями
- ИБП и солнечные инверторы
Если вам нужны точные данные, укажите производителя или прикрепите даташит – помогу с деталями!