IGBT CM430855

IGBT CM430855
Артикул: 297512

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT CM430855

Описание IGBT CM430855

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) CM430855 – это силовой полупроводниковый модуль, применяемый в импульсных преобразователях, инверторах и системах управления электродвигателями. Он сочетает преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии).

Технические характеристики

  • Тип: IGBT модуль
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): [уточнить, например, 600 В, 1200 В]
  • Ток коллектора (IC): [уточнить, например, 30 А, 50 А]
  • Ток импульсный (ICM): [уточнить, например, 60 А, 100 А]
  • Мощность рассеивания (Ptot): [уточнить, например, 200 Вт]
  • Напряжение затвор-эмиттер (VGE): ±20 В (стандартное для IGBT)
  • Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): [уточнить, например, 0.3 °C/Вт]
  • Температура перехода (Tj): -40 °C до +150 °C
  • Корпус: [например, TO-247, модуль с изолированным основанием]

(Точные параметры зависят от производителя и серии. Рекомендуется проверять даташит.)


Парт-номера и аналоги

Оригинальные замены:

  • CM430855 (оригинальный номер)
  • [Другие номера от того же производителя, например, CM400HA-24H, если серия совпадает]

Совместимые модели и аналоги:

  • Infineon: [например, IKW40N65H5, если параметры близки]
  • Fuji Electric: [например, 2MBI100U4B-060]
  • Mitsubishi: [например, CM300DY-24H]
  • STMicroelectronics: [например, STGW40H65DFB]

(Аналоги должны подбираться по характеристикам VCES, IC, корпусу и пинам!)


Применение

  • Промышленные частотные преобразователи
  • Сварочные инверторы
  • Управление электродвигателями
  • ИБП и солнечные инверторы

Если вам нужны точные данные, укажите производителя или прикрепите даташит – помогу с деталями!

Товары из этой же категории