IGBT CM50DY12H

Описание IGBT CM50DY12H

CM50DY12H – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе Dual (2 в 1), предназначенный для управления мощными нагрузками в инверторах, преобразователях частоты, импульсных источниках питания и других силовых электронных устройствах.

Модуль объединяет в одном корпусе два IGBT с антипараллельными диодами, что упрощает проектирование мостовых схем (например, полумостовых конфигураций).

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | Dual IGBT (NPT, Non-Punch Through) + диод |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (I_C) при 80°C | ~30 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип., при I_C = 50 А) |
| Время включения (t_on) | 80 нс |
| Время выключения (t_off) | 350 нс |
| Диод обратного восстановления (t_rr) | 150 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.5 °C/Вт |
| Рабочая температура (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | DIP (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналогичные модули (прямая замена):

• CM50DY12H (оригинал от Mitsubishi)
• CM50DY12HA (модифицированная версия)
• CM50DY12H4 (аналог с улучшенными характеристиками)

Частично совместимые аналоги:

• CM50DY24H (1200 В / 50 А, но с другим диодом)
• CM75DY12H (1200 В / 75 А, требует проверки по тепловым параметрам)
• SKM50GB12T4 (от Semikron, аналогичные параметры)
• FF50R12RT4 (Infineon, 1200 В / 50 А, корпус EconoDUAL)

Альтернативы от других производителей:

• STGW50NC60WD (STMicroelectronics)
• IXGH50N60B3 (IXYS)

Примечания:

1. Замена модуля требует проверки по корпусу, распиновке и термохарактеристикам.
2. Для CM50DY12H важно обеспечить охлаждение (радиатор с теплопроводящей пастой).
3. При работе в высокочастотных схемах учитывайте параметры t_rr диода.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос!