IGBT CM50E3Y12E

Описание IGBT-модуля CM50E3Y12E

CM50E3Y12E – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для применения в мощных импульсных преобразователях, инверторах и системах управления электродвигателями. Модуль сочетает высокую эффективность, низкие потери и надежную изоляцию, что делает его пригодным для промышленного и силового электрооборудования.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT с обратным диодом (NPT) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Ток в импульсе (I_CP) | 100 А | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2.0 В (при номинальном токе) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Мощность рассеивания (P_tot) | ~200 Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C ... +125°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.25 °C/Вт | | Корпус | Стандартный модуль (например, 17-выводный) | | Изоляция | 2500 В (мин.) |

Встроенный диод (FWD)

• Макс. обратное напряжение (V_RRM) – 1200 В
• Прямой ток (I_F) – 50 А
• Падение напряжения (V_F) – ~1.8 В

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут отличаться в зависимости от производителя, но возможные варианты:

Аналоги от других производителей

• Infineon: FF50R12KT3, FF50R12RT4
• Fuji Electric: 2MBI50N-120
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• SEMIKRON: SKM50GB12T4

Совместимые модули с близкими параметрами

• CM50DY-12E (Mitsubishi, аналог)
• CM50E3U-12F (версия с улучшенными характеристиками)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Системы управления двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Если требуется точная замена, рекомендуется сверяться с даташитом производителя или консультироваться с поставщиком.