IGBT CM50E3Y-12E

Описание IGBT CM50E3Y-12E

IGBT CM50E3Y-12E – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Модуль рассчитан на высокие напряжения и токи, обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его подходящим для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и других систем управления электродвигателями.

Корпус модуля обеспечивает хорошее охлаждение и электрическую изоляцию. Устройство имеет встроенный свободно-колесящий диод (FRD), что упрощает проектирование схем.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT с N-каналом + FRD | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ном. ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | до 200 Вт (зависит от охлаждения) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.0 В (при ном. токе) | | Время включения (t_on) | ~60 нс | | Время выключения (t_off) | ~200 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.25 °C/Вт | | Корпус | Изолированный, TO-247 или аналогичный |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• CM50E3Y-12H (модификация с улучшенными характеристиками)
• CM50DY-12E (аналог с близкими параметрами)
• IRG4PC50UD (International Rectifier)
• FGA50N65SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60B3 (Microsemi)

Совместимые модули в схемах:

• CM75E3Y-12E (75 А, 1200 В – для больших токов)
• CM30E3Y-12E (30 А, 1200 В – для меньших нагрузок)
• SKM50GB12T4 (SEMIKRON, аналогичный модуль)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужны точные данные для конкретной схемы, рекомендуется свериться с даташитом производителя (Mitsubishi, Fuji, Infineon и др.).