IGBT CM50E3Y24E

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT CM50E3Y24E
Описание IGBT CM50E3Y24E
IGBT CM50E3Y24E – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других устройствах управления мощностью. Модуль обладает высоким КПД, низкими потерями при переключении и высокой устойчивостью к перегрузкам.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип корпуса | TO-247 (или другой в зависимости от модели) |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Максимальный ток коллектора (IC) | 50 А |
| Импульсный ток (ICM) | 100 А |
| Мощность рассеивания (Ptot) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (VGE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (VGE(th)) | 4–6 В |
| Время включения (ton) | 50 нс |
| Время выключения (toff) | 150 нс |
| Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.5 °C/Вт |
Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги)
- CM50E3Y24E (оригинальный номер)
- CM50DY-24E (возможный вариант)
- IRG4PH50UDPBF (аналог от Infineon)
- FGA50N120ANTD (аналог от Fairchild/ON Semi)
- HGTG50N120B3D (аналог от STMicroelectronics)
Совместимые модели
IGBT модули с аналогичными характеристиками (1200 В, 50 А):
- CM50DY-24H
- CM50E3Y24H
- IRG4PC50U
- FGH50N60SFD
- IXGH50N60B3D1
При замене рекомендуется проверять распиновку и характеристики, так как у некоторых аналогов могут отличаться параметры потерь и температурные режимы.
Если вам нужна более точная информация по конкретному применению, уточните условия работы (частота переключений, система охлаждения и т. д.).