IGBT CM50E3Y24E

Описание IGBT CM50E3Y24E

IGBT CM50E3Y24E – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других устройствах управления мощностью. Модуль обладает высоким КПД, низкими потерями при переключении и высокой устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип корпуса | TO-247 (или другой в зависимости от модели) |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 50 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4–6 В |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.5 °C/Вт |

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги)

• CM50E3Y24E (оригинальный номер)
• CM50DY-24E (возможный вариант)
• IRG4PH50UDPBF (аналог от Infineon)
• FGA50N120ANTD (аналог от Fairchild/ON Semi)
• HGTG50N120B3D (аналог от STMicroelectronics)

Совместимые модели

IGBT модули с аналогичными характеристиками (1200 В, 50 А):

• CM50DY-24H
• CM50E3Y24H
• IRG4PC50U
• FGH50N60SFD
• IXGH50N60B3D1

При замене рекомендуется проверять распиновку и характеристики, так как у некоторых аналогов могут отличаться параметры потерь и температурные режимы.

Если вам нужна более точная информация по конкретному применению, уточните условия работы (частота переключений, система охлаждения и т. д.).