IGBT cm50e3y-24h

Описание IGBT CM50E3Y-24H

IGBT CM50E3Y-24H – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в мощных импульсных схемах, инверторах, частотных преобразователях и системах управления электродвигателями. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей устойчивостью к перегрузкам.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 25 А | | Пиковый ток (I_CP) | 100 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 45 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Мощность рассеивания (P_D) | 200 Вт | | Рабочая температура | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• HGTG50N60A4D (Fairchild/ON Semiconductor)
• FGA50N65SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH50N60B3D (IXYS)

Похожие модули (в других корпусах или с близкими параметрами):

• CM50DY-24H (другая версия с аналогичными характеристиками)
• CM50E3Z-24H (альтернативная модификация)

Применение

• Силовые инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Приводы электродвигателей
• ИБП (источники бесперебойного питания)

Если вам нужны точные данные по конкретной партии или дополнительные аналоги, уточните производителя (например, Mitsubishi, Toshiba, Infineon).