IGBT CM50MD1-12H

Описание IGBT CM50MD1-12H

IGBT CM50MD1-12H – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) в корпусе MD1, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 25 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 250 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 5,5 В |
| Время включения (t_on) | 90 нс |
| Время выключения (t_off) | 430 нс |
| Корпус | MD1 (аналог TO-247) |
| Тип диода | Быстрый восстановительный (FRD) встроенный |
| Температура хранения/эксплуатации | -55°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• CM50MD1-12H (оригинал от производителя)
• CM50DY-12H (аналог в другом корпусе)
• FGA50N120ANTD (Fairchild)
• IXGH50N120 (IXYS)
• IRG4PH50UD (International Rectifier)

Близкие по характеристикам:

• CM75MD1-12H (75 А, 1200 В)
• CM30MD1-12H (30 А, 1200 В)
• HGTG30N120B3D (30 А, 1200 В, Infineon)
• NGTB50N120FL2WG (50 А, 1200 В, ON Semiconductor)

Применение

• Силовые инверторы
• Сварочные аппараты
• Частотные преобразователи
• Импульсные источники питания
• Управление электродвигателями

Если вам нужна замена, важно учитывать не только электрические параметры, но и тепловые характеристики, а также разводку выводов.