IGBT CM75DY24H

Описание IGBT CM75DY24H

IGBT CM75DY24H – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT) в модульном исполнении, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Этот модуль объединяет в себе IGBT и антипараллельный диод, что делает его пригодным для инверторов, преобразователей частоты, сварочного оборудования и промышленных приводов.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (DUAL) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 75 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 150 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) |
| Включение/выключение (t_on/t_off) | 100 нс / 500 нс |
| Диодное напряжение (V_F) | 1,8 В (тип.) |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт |
| Корпус | модуль (изолированный) |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и аналогичные серии:

• CM75DY12H (600 В версия)
• CM75DY24H3 (возможная модификация)
• CM100DY24H (100 А аналог)
• SKM75GB12T4 (от Semikron)
• FF75R12RT4 (Infineon)
• Mitsubishi CM75DY-24H

Совместимые модели в схемах:

• Для замены: CM50DY24H (менее мощный), CM100DY24H (более мощный)
• Аналоги от других производителей:
  • Fuji Electric: 2MBI75S-120
  • Infineon: FF75R12KE3

Этот модуль часто используется в частотных преобразователях, инверторах, системах управления двигателями. При замене рекомендуется проверять распиновку и параметры.

Если нужны специфические datasheet или схемы подключения, уточните!