IGBT cm75e3u-12f

Описание IGBT CM75E3U-12F

IGBT CM75E3U-12F – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Модуль выполнен в корпусе, обеспечивающем эффективное охлаждение и надежную работу в силовых электронных системах, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (I_C) | 150 А (импульсный) |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (при I_C = 75 А) |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 350 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |
| Тип модуля | Одиночный IGBT с антипараллельным диодом |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• CM75E3U-12H (версия с улучшенными характеристиками)
• CM75E3U-12G (альтернативная версия)
• FGA75N120 (Fairchild)
• IXGH75N120 (IXYS)
• IRG4PH50UD (Infineon)

Совместимые модели (по параметрам):

• HGTG75N120 (Microsemi)
• GT75QR120 (Toshiba)
• MG75Q2YS40 (Mitsubishi)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для солнечных электростанций
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять характеристики с оригиналом, особенно параметры V_CES, I_C и наличие встроенного диода.