IGBT CM75E3U-12H

IGBT CM75E3U-12H
Артикул: 297636

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT CM75E3U-12H

Описание IGBT CM75E3U-12H

IGBT CM75E3U-12H — это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и промышленных систем управления. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, высокую температурную стабильность и встроенный антипараллельный диод.

Технические характеристики

Основные параметры:

  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
  • Ток коллектора (IC при 25°C): 75 А
  • Ток коллектора (IC при 100°C): 50 А
  • Максимальный импульсный ток (ICM): 150 А
  • Мощность рассеивания (Ptot): 300 Вт
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): 2,5 В (при 75 А)
  • Время включения (ton): 60 нс
  • Время выключения (toff): 200 нс
  • Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): 0,25 °C/Вт
  • Диапазон рабочих температур: -40°C ... +150°C

Встроенный диод (FWD):

  • Прямое напряжение (VF): 1,7 В (при 75 А)
  • Время восстановления (trr): 120 нс

Корпус:

  • Тип: Модуль (изолированный)
  • Монтаж: Винтовой/на радиатор

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги (Hitachi, Mitsubishi, Infineon, Fuji):

  • CM75E3U-12H (оригинал)
  • CM75DY-12H (аналог с похожими параметрами)
  • FF75R12KT4 (Infineon)
  • 2MBI75N-120 (Fuji Electric)
  • MG75Q1BS41 (Mitsubishi)

Совместимые модели в зависимости от применения:

  • CM50E3U-12H (менее мощный вариант)
  • CM100E3U-12H (более мощный вариант)
  • SKM75GB12T4 (Semikron)

Применение

  • Преобразователи частоты
  • Сварочные инверторы
  • Тяговые приводы
  • ИБП и солнечные инверторы

Если вам нужна дополнительная информация по замене или схемам подключения — уточните запрос!

Товары из этой же категории