IGBT CM75E3U-12H

Артикул: 297636
Требуется установка или ремонт?
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT CM75E3U-12H
Описание IGBT CM75E3U-12H
IGBT CM75E3U-12H — это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и промышленных систем управления. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, высокую температурную стабильность и встроенный антипараллельный диод.
Технические характеристики
Основные параметры:
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
- Ток коллектора (IC при 25°C): 75 А
- Ток коллектора (IC при 100°C): 50 А
- Максимальный импульсный ток (ICM): 150 А
- Мощность рассеивания (Ptot): 300 Вт
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): 2,5 В (при 75 А)
- Время включения (ton): 60 нс
- Время выключения (toff): 200 нс
- Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): 0,25 °C/Вт
- Диапазон рабочих температур: -40°C ... +150°C
Встроенный диод (FWD):
- Прямое напряжение (VF): 1,7 В (при 75 А)
- Время восстановления (trr): 120 нс
Корпус:
- Тип: Модуль (изолированный)
- Монтаж: Винтовой/на радиатор
Парт-номера и аналоги
Оригинальные аналоги (Hitachi, Mitsubishi, Infineon, Fuji):
- CM75E3U-12H (оригинал)
- CM75DY-12H (аналог с похожими параметрами)
- FF75R12KT4 (Infineon)
- 2MBI75N-120 (Fuji Electric)
- MG75Q1BS41 (Mitsubishi)
Совместимые модели в зависимости от применения:
- CM50E3U-12H (менее мощный вариант)
- CM100E3U-12H (более мощный вариант)
- SKM75GB12T4 (Semikron)
Применение
- Преобразователи частоты
- Сварочные инверторы
- Тяговые приводы
- ИБП и солнечные инверторы
Если вам нужна дополнительная информация по замене или схемам подключения — уточните запрос!