IGBT CM75E3Y12E

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT CM75E3Y12E
Описание IGBT модуля CM75E3Y12E
CM75E3Y12E – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Mitsubishi Electric, предназначенный для силовых электронных устройств, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления электроприводами.
Модуль включает в себя IGBT-транзисторы с диодами обратного восстановления (FRD), обеспечивающие высокую эффективность и надежность в высоковольтных и сильноточных приложениях.
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC) | 75 А (при 25°C) | | Ток короткого замыкания (ISC) | 150 А | | Мощность рассеивания (Ptot) | 300 Вт | | Напряжение управляющего затвора (VGE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | ~1,8 В (при 75 А) | | Время включения (ton) | ~50 нс | | Время выключения (toff) | ~200 нс | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,25 °C/Вт | | Максимальная рабочая температура (Tj) | 150°C | | Корпус | 6-выводной (Module) | | Вес | ~100 г |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и эквиваленты от других производителей:
- Infineon: FF75R12RT4
- Fuji Electric: 6MBP75RA120
- SEMIKRON: SKM75GB12T4
Совместимые модели Mitsubishi (заменяемые модули):
- CM75DY-12E (устаревшая версия)
- CM75DY-12H (с улучшенными характеристиками)
- CM75E3U-12E (альтернативный вариант)
Применение
- Преобразователи частоты
- Промышленные инверторы
- Сварочные аппараты
- Системы управления электродвигателями
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
Примечание
Перед заменой модуля рекомендуется уточнять распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в управлении и тепловых параметрах.
Если вам нужны дополнительные данные (например, графики вольт-амперных характеристик или схемы подключения), уточните запрос.