IGBT DBC2F200P6S

Описание IGBT модуля DBC2F200P6S

DBC2F200P6S – это высоковольтный IGBT-модуль, предназначенный для использования в мощных импульсных и инверторных схемах, таких как:

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Модуль выполнен в компактном корпусе с изолированным основанием, что упрощает монтаж на радиатор.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (полумостовая сборка) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток (I_C) | 200 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | до 400 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | ~300 Вт (зависит от охлаждения) | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1.8 В | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.12 °C/Вт | | Корпус | Изолированный (DBC-подложка) | | Вес | ~50 г (примерно) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут варьироваться в зависимости от производителя и электрических параметров.

Прямые аналоги (полные или частичные замены):

• Infineon: FF200R06KE3, FF200R06KE3G
• Fuji Electric: 2MBI200U6A-060
• Mitsubishi: CM200DY-24NFH
• SEMIKRON: SKM200GB066D

Частично совместимые модели (требуется проверка распиновки и характеристик):

• IR (Infineon): IRGP4066DPbF (отдельный IGBT, не модуль)
• ON Semiconductor: NGTB40N120FL3WG

Другие похожие модули:

• STMicroelectronics: STGW40H65DFB
• Toshiba: MG200Q2YS40

Примечания по замене

1. Перед заменой необходимо уточнить:
   • Распиновку и схему подключения
   • Рабочее напряжение и ток
   • Тип корпуса и крепление
2. Рекомендуется использование оригинального модуля для критичных применений.

Если вам нужна более точная информация по аналогам, укажите конкретное применение или электрические параметры.