IGBT DBC2F200P6S

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT DBC2F200P6S
Описание IGBT модуля DBC2F200P6S
DBC2F200P6S – это высоковольтный IGBT-модуль, предназначенный для использования в мощных импульсных и инверторных схемах, таких как:
- Промышленные частотные преобразователи
- Сварочные инверторы
- Системы управления электродвигателями
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Солнечные инверторы
Модуль выполнен в компактном корпусе с изолированным основанием, что упрощает монтаж на радиатор.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (полумостовая сборка) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В | | Номинальный ток (IC) | 200 А (при 25°C) | | Импульсный ток (ICM) | до 400 А | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | ~300 Вт (зависит от охлаждения) | | Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | ~1.8 В | | Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | ~0.12 °C/Вт | | Корпус | Изолированный (DBC-подложка) | | Вес | ~50 г (примерно) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены могут варьироваться в зависимости от производителя и электрических параметров.
Прямые аналоги (полные или частичные замены):
- Infineon: FF200R06KE3, FF200R06KE3G
- Fuji Electric: 2MBI200U6A-060
- Mitsubishi: CM200DY-24NFH
- SEMIKRON: SKM200GB066D
Частично совместимые модели (требуется проверка распиновки и характеристик):
- IR (Infineon): IRGP4066DPbF (отдельный IGBT, не модуль)
- ON Semiconductor: NGTB40N120FL3WG
Другие похожие модули:
- STMicroelectronics: STGW40H65DFB
- Toshiba: MG200Q2YS40
Примечания по замене
- Перед заменой необходимо уточнить:
- Распиновку и схему подключения
- Рабочее напряжение и ток
- Тип корпуса и крепление
- Рекомендуется использование оригинального модуля для критичных применений.
Если вам нужна более точная информация по аналогам, укажите конкретное применение или электрические параметры.