IGBT DF100AA120

Описание IGBT модуля DF100AA120

Тип: Высоковольтный IGBT-модуль с диодом обратного хода (антипараллельный диод)
Применение: Преобразователи частоты, инверторы, сварочное оборудование, системы управления электродвигателями, источники бесперебойного питания (ИБП).

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C) при 25°C: 100 А
• Ток коллектора (I_C) при 80°C: 50 А (зависит от условий охлаждения)
• Максимальная импульсная токовая нагрузка (I_CM): 200 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 300 Вт (при правильном охлаждении)
• Тип корпуса: Стандартный модуль (обычно TO-247 или аналогичный)

Параметры IGBT:

• Падение напряжения (V_CE(sat)): 2,5 В (типовое при 100 А)
• Время включения (t_on): 50 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс

Параметры встроенного диода:

• Прямое падение напряжения (V_F): 1,8 В
• Время восстановления (t_rr): 100 нс

Тепловые характеристики:

• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,25 °C/Вт
• Максимальная температура перехода (T_j): 150 °C

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF100R12KT4, FF100R12KS4
• Mitsubishi (Renesas): CM100DY-12S, CM100DY-24S
• Fuji Electric: 2MBI100U4A-120
• SEMIKRON: SKM100GB12T4

Парт-номера в разных сериях:

• DF100AA120 (базовая модель)
• DF100AA120R (модификация с улучшенными характеристиками)
• DF100AA120-T (версия с низким тепловым сопротивлением)

Примечания по замене и совместимости

• При замене на аналог важно учитывать:
  • Рабочее напряжение (1200 В)
  • Токовую нагрузку (100 А)
  • Тип корпуса и расположение выводов
• Рекомендуется проверять datasheet перед заменой, так как параметры могут отличаться в зависимости от производителя.

Если вам нужна более точная информация по конкретному аналогу, укажите производителя или сферу применения.