IGBT F4-50R12KS4

Описание и технические характеристики IGBT модуля F4-50R12KS4

Общее описание

IGBT-модуль F4-50R12KS4 производства Infineon Technologies – это высоковольтный транзисторный модуль с обратным диодом, предназначенный для мощных преобразователей энергии. Он используется в частотных приводах, инверторах, системах управления электродвигателями и промышленных источниках питания.

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность и низкие потери
• Встроенный диод для обратного тока
• Низкое тепловое сопротивление
• Высокая перегрузочная способность
• Изоляция корпуса от теплоотвода (до 2500 В)

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |--------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT с диодом (2 в 1) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C при 25°C) | 50 А | | Ток коллектора (I_C при 80°C) | 35 А | | Ток импульсный (I_CM) | 100 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) | | Диодный ток (I_F) | 50 А | | Прямое падение диода (V_F) | 1.9 В (тип.) | | Мощность рассеивания (P_tot) | 280 Вт | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.45 К/Вт | | Корпус | 62 мм (EconoPACK™ 4) | | Вес | ~200 г | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от Infineon:

• F4-50R12KS4 (основная модель)
• F4-50R12KT4 (аналогичный, с улучшенными характеристиками)
• F4-50R12KE3 (предыдущая версия)

Совместимые модели других производителей:

• Mitsubishi: CM50DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI50U-120
• Semikron: SKM50GB12T4
• STMicroelectronics: STGW50HF60WD

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• ИБП и солнечные инверторы
• Тяговые преобразователи

Если вам нужна дополнительная информация по аналогам или заменам, уточните условия эксплуатации (напряжение, ток, охлаждение).