IGBT FD800R17KE3_B2

Описание IGBT модуля FD800R17KE3_B2

Производитель: Infineon Technologies
Тип: IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с диодом обратного хода (антипараллельным диодом)
Назначение: Применяется в мощных преобразователях частоты, инверторах, промышленных приводах, системах возобновляемой энергии (ветряные и солнечные электростанции), тяговых приводах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1700 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 800 А (при 25°C) |
| Импульсный ток коллектора (I_CM) | 1600 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,25 В (типовое) |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 4800 Вт |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,018 К/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -40°C ... +150°C |
| Тип корпуса | 62 мм (EconoDUAL™ 3) |
| Встроенный диод | Да (FRD) |
| Скорость переключения | Высокая (оптимизирована для инверторов) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги Infineon:

• FD800R17KE3 (базовая версия)
• FD800R17KE3_B3 (обновлённая версия)
• FD800R17KE3_B5 (последняя ревизия)

Совместимые модели других производителей:

• Mitsubishi: CM800HA-17H
• Fuji Electric: 2MBI800U4A-170
• SEMIKRON: SK800GB176D

Особенности

• Высокая перегрузочная способность.
• Низкие потери при переключении.
• Оптимизирован для работы в жестких промышленных условиях.
• Совместим с драйверами серии 1ED020I12-F2 и 2ED300C17.

Если вам нужны дополнительные данные (графики, кривые переключения, рекомендации по охлаждению), уточните запрос.