IGBT FF150R12MT4

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT FF150R12MT4
Описание IGBT модуля FF150R12MT4
FF150R12MT4 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) от Infineon Technologies, предназначенный для применения в мощных инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.
Модуль выполнен в корпусе EasyPACK 2B, что обеспечивает хорошие тепловые и электрические характеристики. Включает в себя два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами, образующие полумостовую конфигурацию (Half-Bridge).
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип модуля | IGBT Half-Bridge |
| Корпус | EasyPACK 2B |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток (IC) | 150 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (ICM) | 300 А |
| Мощность (Ptot) | 625 Вт |
| Падение напряжения (VCE(sat)) | 1,85 В (тип.) |
| Время включения (ton) | 52 нс |
| Время выключения (toff) | 280 нс |
| Диоды ФК (FWD) | 1200 В, 150 А |
| Температура хранения | -40°C ... +125°C |
| Термосопротивление (Rth(j-c)) | 0,12 K/W |
Альтернативные парт-номера и аналоги
Прямые аналоги Infineon:
- FF150R12RT4 (аналог с улучшенными динамическими характеристиками)
- FF150R12KT4 (версия с другим тепловым сопротивлением)
Совместимые модели от других производителей:
- SEMiX151GD126HDs (Semikron, Half-Bridge, 1200V, 150A)
- SKM150GB12T4 (Semikron, аналогичный модуль в другом корпусе)
- CM150DY-12NF (Mitsubishi, 1200V, 150A)
- 2MBI150N-120 (Fuji Electric, 1200V, 150A)
Применение
- Промышленные преобразователи частоты
- Сварочные инверторы
- Системы управления электродвигателями
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Солнечные инверторы
Примечание
Перед заменой модуля на аналог рекомендуется уточнить разводку выводов и электрические параметры, так как корпуса и характеристики могут отличаться.
Если нужна дополнительная информация по аналогам или применению – уточните!