IGBT FF200R12KT3

Описание IGBT модуля FF200R12KT3

FF200R12KT3 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для мощных инверторных и преобразовательных применений. Модуль имеет двухуровневую структуру (Half-Bridge), что делает его пригодным для частотно-регулируемых приводов (ЧРП), сварочного оборудования, промышленных инверторов и систем возобновляемой энергетики.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-----------------------------------| | Тип модуля | IGBT Half-Bridge (2-Level) | | Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 200 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CP) | 400 А | | Мощность (P_tot) | 1350 Вт | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.85 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 70 нс | | Время выключения (t_off) | 300 нс | | Диод обратного тока (I_F) | 200 А | | Температура хранения | от -40°C до +125°C | | Корпус | 62 мм (EconoDUAL™ 3) | | Вес | ~300 г | | Изоляция | 2500 В (AC, 1 мин) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon (замена возможна после проверки параметров):

• FF200R12KT4 (более новая версия)
• FF200R12KE3 (аналог с другими характеристиками)
• FF225R12KT3 (250 А, схожий корпус)

Аналоги от других производителей:

• Mitsubishi: CM200DY-12NFH
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-120
• SEMIKRON: SKM200GB12T4

Применение

• Преобразователи частоты (ЧРП)
• Сварочные инверторы
• Тяговые преобразователи
• Солнечные инверторы
• Промышленные источники питания

Примечание

Перед заменой на аналог рекомендуется проверить характеристики и распиновку, так как параметры могут отличаться.

Если нужна дополнительная информация (графики, схемы подключения), уточните!