IGBT FM50DY10S

Описание IGBT FM50DY10S

FM50DY10S – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), разработанный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и двигательных приводов. Модуль объединяет в одном корпусе транзистор IGBT и диод, что упрощает конструкцию силовых схем.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 25 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) |
| Встроенный диод (FRD) | Да |
| Обратное напряжение диода (V_RRM) | 1000 В |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• HGTG50N60B3 (Fairchild/ON Semiconductor)
• FGA50N65SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH50N60B3 (IXYS/Littelfuse)

Совместимые модели в других сериях:

• FM50DY12S (1200 В, 50 А)
• FM75DY10S (1000 В, 75 А)
• FM35DY10S (1000 В, 35 А)

Применение

• Инверторы для электродвигателей
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Сварочное оборудование
• Системы управления электроприводами

Если вам нужна дополнительная информация по заменам или схемы подключения, уточните запрос.