IGBT fp40r120kt3

Описание и технические характеристики IGBT модуля FP40R120KT3

FP40R120KT3 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для высокоэффективных силовых преобразователей, инверторов и приводных систем. Модуль включает в себя два IGBT транзистора с антипараллельными диодами, что делает его идеальным для мостовых схем (например, полумостовых конфигураций).

Основные характеристики:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C при 25°C): 40 А
• Ток коллектора (I_C при 80°C): 25 А
• Ток импульсный (I_CM): 80 А
• Мощность рассеяния (P_tot): 200 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1,8 В (тип.)
• Время включения (t_on): 36 нс
• Время выключения (t_off): 130 нс
• Диод обратного восстановления (Q_rr): 1,5 мкКл
• Термическое сопротивление (R_th(j-c)): 0,45 К/Вт
• Корпус: 38 мм (EconoPACK™ 3)
• Рабочая температура: от -40°C до +150°C

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon:

• FP40R120KT3G (улучшенная версия с оптимизированными параметрами)
• FP40R120KT3_B3 (альтернативная маркировка)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Semikron: SKM40GB12T4
• Mitsubishi Electric: CM40DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI40N-120
• IXYS: IXGH40N120B3

Рекомендуемые замены (с проверкой распиновки):

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• STGW40NC120KD (STMicroelectronics)

Применение:

• Инверторы и частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• Сварочное оборудование
• ИБП и солнечные инверторы

Если требуется точная замена, необходимо учитывать электрические параметры и механическое соответствие корпуса.