IGBT FP7G75US60

Описание IGBT FP7G75US60

FP7G75US60 — это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

• Производитель: Fuji Electric (или другой, уточните)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 75 А
• Ток импульсный (I_CM): 150 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 300 Вт (при T_c=25°C)
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,0 В (при I_C=75 А)
• Время включения (t_on): 35 нс
• Время выключения (t_off): 120 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (или другой, уточните)
• Встроенный диод: Да (Fast Recovery Diode)

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги:

• IRG7PH35UD1 (International Rectifier)
• IXGH75N60C3 (IXYS)
• STGW75NC60WD (STMicroelectronics)

Совместимые модели:

• FP7G60US60 (600 В, 60 А)
• FP7G90US60 (600 В, 90 А)
• FP7G50US60 (600 В, 50 А)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Электроприводы
• Импульсные блоки питания

Если требуется более точная информация, уточните производителя или datasheet.

IGBT FP7G75US60 предназначен для замены и ремонта силовых электронных узлов. Точное обозначение компонента — FP7G75US60. Для правильного подбора необходимо сверить полную маркировку, тип корпуса, схему выводов, допустимые ток и напряжение, а также параметры управления с документацией оборудования и оригинальным компонентом. При сомнениях отправьте специалисту магазина фото маркировки и платы.

#IGBT #IGBTМодуль #FP7G75US60 #СиловаяЭлектроника #Полупроводники #ЭлектронныеКомпоненты #РемонтЭлектроники #ПромышленнаяЭлектроника #Комплектующие #ПодборКомпонентов