IGBT FS50R06W1E3_B11

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT FS50R06W1E3_B11
Описание IGBT модуля FS50R06W1E3_B11
FS50R06W1E3_B11 – это IGBT-модуль с номинальным током 50 А и напряжением 600 В, разработанный для мощных инверторных и преобразовательных систем. Модуль включает в себя два IGBT транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации.
Основные области применения:
- Частотные преобразователи
- Промышленные приводы
- Сварочное оборудование
- ИБП и солнечные инверторы
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |------------------------------|-----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В | | Номинальный ток (IC) | 50 А (при 25°C) | | Ток при 80°C (IC) | 30 А | | Максимальный импульсный ток (ICM) | 100 А | | Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | 1,7 В (тип.) | | Падение напряжения на диоде (VF) | 1,5 В (тип.) | | Время включения (ton) | 35 нс | | Время выключения (toff) | 150 нс | | Рабочая температура (Tj) | -40°C ... +150°C | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,45 К/Вт | | Корпус | EASY1B (изолированный) |
Парт-номера и совместимые модели
Оригинальный номер:
- FS50R06W1E3_B11 (Infineon)
Аналоги и альтернативы от других производителей:
- Fuji Electric: 2MBI50U6B-060
- Mitsubishi: CM50DY-12H
- SEMIKRON: SKM50GB063D
- STMicroelectronics: STGW50HF60WD
Совместимые модули в линейке Infineon:
- FS50R06KE3 (аналог с улучшенными характеристиками)
- FS50R12KE3 (версия на 1200 В)
- FS75R06W1E3_B11 (75 А, 600 В)
Примечание
Перед заменой модуля рекомендуется проверять распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в конструкции и параметрах.
Если нужны более точные данные (например, графики зависимостей или рекомендации по охлаждению), лучше обратиться к официальному даташиту Infineon.