IGBT FS75R07N2E4

Описание IGBT FS75R07N2E4

FS75R07N2E4 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и приводов электродвигателей. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, высокую перегрузочную способность и встроенный антипараллельный диод.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------| | Тип | IGBT-модуль (NPT, TrenchStop) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) | | Ток коллектора (I_C) | 105 А (при 80°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 150 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,7 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 330 нс | | Встроенный диод | Да (антипараллельный) | | Напряжение диода (V_F) | 1,8 В (тип.) | | Тепловое сопротивление (R_thJC) | 0,25 К/Вт | | Корпус | EASY1B (полупроводниковый модуль) | | Рабочая температура | -40°C…+150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon:

• FS75R07W2E3 (более новая версия, аналогичные параметры)
• FS75R06W2E3_B11 (600 В, 75 А, корпус EASY1B)
• FS75R12KT3 (1200 В, 75 А)

Аналоги от других производителей:

• SEMiX453GB126HDs (Semikron, 600 В, 75 А)
• MG75Q6ES40 (Mitsubishi, 600 В, 75 А)
• FP75R06KE3 (Fuji Electric, 600 В, 75 А)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• ИБП и солнечные инверторы
• Управление электродвигателями

Модуль FS75R07N2E4 подходит для замены в схемах, где требуется высокая надежность и эффективность при средних мощностях.

Если нужна дополнительная информация по аналогам или схемам подключения — уточните!