IGBT FS75R12KE3

Описание IGBT FS75R12KE3

FS75R12KE3 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для мощных преобразовательных и инверторных систем. Модуль объединяет IGBT-транзисторы с антипараллельными диодами, обеспечивая высокую эффективность и надежность в промышленных приложениях, таких как:

• Частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Системы управления электродвигателями
• Возобновляемая энергетика (инверторы для солнечных и ветровых установок)

Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, высокую перегрузочную способность и хорошую температурную стабильность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 75 А |
| Ток коллектора (I_C) при 80°C | 50 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 150 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В |
| Время включения (t_d(on)) | 40 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 210 нс |
| Корпус | модуль (EASY1B, 62 мм) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |
| Сопротивление изоляции | ≥2500 В (V_ISO) |

Парт-номера и совместимые модели

Альтернативные парт-номера от Infineon:

• FS75R12KE3G (версия с улучшенными характеристиками)
• FS75R12KE3BOSA1 (упаковка OEM)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Mitsubishi Electric: CM75DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI75S-120
• Semikron: SKM75GB12T4
• STMicroelectronics: STGW75HF60S

Похожие по характеристикам модели:

• FS50R12KE3 (50 А, 1200 В)
• FS100R12KE3 (100 А, 1200 В)
• FS150R12KE3 (150 А, 1200 В)

Примечания

• Перед заменой на аналог рекомендуется проверить распиновку и характеристики по datasheet.
• Для оптимального теплоотвода рекомендуется использовать термопасту и радиаторы с низким тепловым сопротивлением.

Если нужна дополнительная информация (например, графики зависимостей или применение в схемах), уточните!