IGBT G80N60

Описание IGBT G80N60

G80N60 — это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как:

• Инверторы и преобразователи
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Управление электродвигателями
• Сварка и промышленные системы

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 80 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 40 А |
| Максимальная импульсная мощность (P_CM) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при I_C = 80 А) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |
| Рабочая температура | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (зависит от производителя):

• IRG4PC50UD (International Rectifier, 600V, 55A)
• FGA60N65SMD (Fairchild/ON Semi, 650V, 60A)
• HGTG20N60A4D (STMicroelectronics, 600V, 40A)
• IXGH80N60B3 (IXYS, 600V, 80A)

Возможные замены (с проверкой параметров):

• G80N60 (оригинал)
• G80N60A (модификация с улучшенными характеристиками)
• G75N60 (75A, 600V, аналог с близкими параметрами)

Примечание

Перед заменой обязательно проверяйте:

• Рабочее напряжение и ток
• Характеристики насыщения (V_CE(sat))
• Тепловые параметры и корпус

Если нужны более точные аналоги или datasheet — уточните производителя (Infineon, STMicro, Toshiba и др.).

IGBT G80N60 предназначен для замены и ремонта силовых электронных узлов. Точное обозначение компонента — G80N60. Для правильного подбора необходимо сверить полную маркировку, тип корпуса, схему выводов, допустимые ток и напряжение, а также параметры управления с документацией оборудования и оригинальным компонентом. При сомнениях отправьте специалисту магазина фото маркировки и платы.

#IGBT #IGBTМодуль #G80N60 #СиловаяЭлектроника #Полупроводники #ЭлектронныеКомпоненты #РемонтЭлектроники #ПромышленнаяЭлектроника #Комплектующие #ПодборКомпонентов