IGBT GD150HFL120C8SC

Описание IGBT модуля GD150HFL120C8SC

Производитель: вероятно, Toshiba, Mitsubishi Electric или другой ведущий бренд (уточните производителя для точности).
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (NPT/Trench technology).
Назначение: предназначен для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как:

• Промышленные инверторы
• Преобразователи частоты
• Системы управления электродвигателями
• Возобновляемая энергетика (солнечные инверторы, ветрогенераторы)

Технические характеристики

1. Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
2. Ток коллектора (IC @25°C): 150 А (при 100°C — снижается до ~75-90 А)
3. Ток импульсный (ICM): до 300 А
4. Мощность рассеивания (Ptot): ~300-500 Вт (зависит от условий охлаждения)
5. Падение напряжения (VCE(sat)): ~1.8–2.5 В (при номинальном токе)
6. Время переключения:
   • Включение (ton): ~50–100 нс
   • Выключение (toff): ~200–400 нс
7. Температурный диапазон: -40°C до +150°C (корпус)
8. Корпус: модуль с изолированной базой (например, 62mm или 34mm), 6-контактный (обычно Half-Bridge или 2-in-1).
9. Изоляция: 2500 В (мин.) между базой и элементами.

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF150R12RT4, FF150R12KE3
• Mitsubishi: CM150DY-12NFH, CM150HC-12H
• Fuji Electric: 2MBI150U2A-120
• SEMIKRON: SKM150GB12T4

Похожие модели в линейке (если GD — серия):

• GD100HFL120C8SC (100 А)
• GD200HFL120C8SC (200 А)
• GD75HFL120C8SC (75 А)

Примечания

1. Для точного подбора аналога проверяйте:
   • Распиновку и корпус.
   • Напряжение насыщения (VCE(sat)).
   • Тип диода (Ultra-Fast, SiC и т.д.).
2. Рекомендуется использовать оригинальные datasheets производителя.

Если у вас есть дополнительная информация о бренде или применении, уточните — я дополню описание!