IGBT GD75HFL120CIS

IGBT-модуль GD75HFL120CIS: Описание и технические характеристики

Описание:

IGBT-модуль GD75HFL120CIS — это высоковольтный силовой транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для инверторов, преобразователей частоты, сварочного оборудования и других мощных электронных устройств. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, высокую надежность и эффективное охлаждение благодаря изолированному корпусу.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (NPT-технология) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 75 А (непрерывный) | | Ток коллектора (I_C) при 80°C | ~50 А (с учетом деградации) | | Импульсный ток (I_CM) | 150 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | ~300 Вт (зависит от охлаждения) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,0 В (тип.) | | Время включения/выключения (t_on/t_off) | ~50 нс / ~200 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт | | Корпус | Изолированный (FL-type) | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели:

Модуль GD75HFL120CIS может иметь аналоги от других производителей или взаимозаменяемые версии:

• Infineon: FF75R12KE3 / FF75R12KT3
• Mitsubishi: CM75DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI75L-120
• SEMIKRON: SKM75GB12T4
• IR (International Rectifier): IRG7PH35UD

Применение:

• Преобразователи частоты (ЧРП)
• Сварочные инверторы
• Импульсные источники питания
• Тяговые электроприводы

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров и распиновки.