IGBT GT20D201

Описание IGBT GT20D201

GT20D201 — это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных электронных устройствах, таких как инверторы, импульсные источники питания, сварочное оборудование и двигательные системы.

Этот IGBT обладает высокой эффективностью, низкими потерями при коммутации и хорошей устойчивостью к перегрузкам. Корпус TO-247 обеспечивает удобство монтажа и эффективный теплоотвод.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Тип транзистора | N-канальный IGBT |
| Корпус | TO-247 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 20 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 40 А |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при I_C = 20 А) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 150 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Температура хранения | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH20UD (International Rectifier)
• FGA20N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• H20R1202 (STMicroelectronics)
• IXGH20N120B (IXYS/Littelfuse)

Парт-номера производителей:

• Toshiba: GT20D201
• Hitachi: GT20D201 (часто встречается в старых схемах)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Системы управления электродвигателями

Если вам нужен точный аналог, лучше проверить даташит конкретного производителя, так как параметры могут незначительно отличаться.