IGBT HYG15P120H1K13

Описание IGBT HYG15P120H1K13

IGBT HYG15P120H1K13 – это дискретный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Этот компонент обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его подходящим для инверторов, импульсных источников питания, сварочного оборудования и систем управления электродвигателями.

Корпус TO-247 обеспечивает эффективный теплоотвод, а встроенный быстрый диод (антипараллельный) улучшает надежность в схемах с обратной ЭДС.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|---------------------------|----------|
| Тип устройства | IGBT с диодом |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 15 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 30 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (при I_C = 15 А) |
| Энергия переключения (E_on / E_off) | 0.75 мДж / 0.35 мДж |
| Тепловое сопротивление (R_thJC) | 0.75 °C/Вт |
| Температура перехода (T_j) | -55°C ~ +150°C |
| Корпус | TO-247 |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (замены):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA15N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• H20R1202 (STMicroelectronics)
• NGTB15N120FL2WG (ON Semiconductor)

Совместимые модели (похожие параметры):

• HYG20P120H1K13 (20 А, 1200 В)
• HYG15N120H1K13 (15 А, 1200 В, другой производитель)
• IXGH15N120B3 (IXYS, 15 А, 1200 В)

Применение

• Силовые инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление двигателями (ЧРП)
• Импульсные блоки питания

Если нужны дополнительные параметры (графики, тесты), уточните!