IGBT Irgps60b120kdp

Описание IGBT IRGPS60B120KDP

IRGPS60B120KDP – это IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) с кремниевой структурой, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных силовых приложений. Модуль обладает низкими коммутационными потерями, высокой эффективностью и надежностью, что делает его подходящим для инверторов, сварочных аппаратов, промышленных приводов и систем управления электродвигателями.

Модуль имеет встроенный обратный диод (антипараллельный диод), обеспечивающий защиту от обратных токов. Корпус TO-247AC с изолированным основанием упрощает монтаж на радиатор.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT с диодом | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C при 25°C) | 60 А (макс.) | | Ток коллектора (I_C при 100°C) | 30 А (макс.) | | Ток импульсный (I_CM) | 120 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 330 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Пороговое напряжение (V_GE(th)) | 4,5–6,5 В | | Время включения (t_on) | 24 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 130 нс (тип.) | | Обратный диод (FWD) | Встроенный | | Тип корпуса | TO-247AC (изолированный) | | Температура хранения | от -55°C до +150°C | | Температура перехода (T_j) | до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRGPS60B120KD (аналогичный, но без изолированного основания)
• IRG4PH50UDPBF (1200 В, 55 А, TO-247AC)
• FGA60N65SMD (650 В, 60 А, TO-247)
• IXGH60N120B3D1 (1200 В, 60 А, TO-247)

Совместимые модели в схемах:

• IRGP50B120PD1 (50 А, 1200 В)
• IRG7PH42UD1 (42 А, 1200 В)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы и UPS
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Промышленные системы питания

Если требуется модуль с аналогичными параметрами, но в другом корпусе, можно рассмотреть IRGP4063DPBF (40 А, 600 В) или IRGP50B60PD1 (50 А, 600 В) для менее мощных систем.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!