IGBT IXBF50N360

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT IXBF50N360
Описание IGBT IXBF50N360
IXBF50N360 — это мощный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) от IXYS, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Основные области применения:
- Инверторы и преобразователи мощности
- Промышленные приводы
- Сварочное оборудование
- Системы управления электродвигателями
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
Ключевые особенности:
- Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES = 3600 В)
- Большой ток коллектора (IC = 50 А)
- Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat))
- Высокая стойкость к перегрузкам
- Корпус TO-264 (аналог TO-3P) с хорошим теплоотводом
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |-------------------------|------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 3600 В | | Ток коллектора (IC) при 25°C | 50 А | | Ток коллектора (IC) при 100°C | 30 А | | Пиковый ток (ICM) | 100 А | | Мощность рассеивания (PD) | 330 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 3.0 В (тип.) при 25 А, 125°C | | Время включения (ton) | 120 нс | | Время выключения (toff) | 500 нс | | Корпус | TO-264 (TO-3P) | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги от IXYS/Littelfuse:
- IXBF50N360 (основная модель)
- IXBF50N360T (с улучшенными характеристиками)
Совместимые аналоги от других производителей:
- Infineon: FF300R12KT4 (но требует проверки параметров)
- Fuji Electric: 2MBI300VN-360 (модульный аналог)
- Mitsubishi: CM300DY-36NF (двойной IGBT-модуль)
Примечание: При замене на альтернативные модели необходимо учитывать различия в характеристиках, особенно по напряжению, току и корпусу.
Применение и замена
- Рекомендуется для мощных преобразователей с напряжением до 3.6 кВ.
- Аналоги могут отличаться по динамическим параметрам (ton/toff), поэтому в высокочастотных схемах требуется проверка.
Если нужны более точные аналоги или уточнение параметров, укажите конкретные требования.