IGBT IXBT42N170

Описание IGBT IXBT42N170

IXBT42N170 — это N-канальный IGBT-транзистор с высоким напряжением коллектор-эмиттер (1700 В) и током коллектора до 42 А (при 25°C). Предназначен для применения в мощных импульсных преобразователях, инверторах, системах управления электродвигателями и промышленном оборудовании.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1700 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 42 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 25 А | | Импульсный ток (I_CM) | 84 А | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2.5 В (при I_C = 42 А) | | Время включения (t_on) | 45 нс | | Время выключения (t_off) | 250 нс | | Корпус | TO-247 | | Рабочая температура | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IXYS: IXBT42N170P
• Infineon: IHW40N170R5
• STMicroelectronics: STGW40H170DF2
• Fuji Electric: 2MBI170VXB-120-50
• Mitsubishi: CM170DY-24H

Совместимые модели (по ключевым параметрам):

• IXBT40N170
• IXBT44N170
• IRG4PH50UD
• FGA40N170

Применение

• Силовые инверторы
• Сварочные аппараты
• Промышленные приводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электромобильные зарядные станции

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров в конкретной схеме.