IGBT IXFN200N10P

IGBT IXFN200N10P
Артикул: 298457

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT IXFN200N10P

Описание IGBT IXFN200N10P

IXFN200N10P — это N-канальный IGBT-транзистор с напряжением 1000 В и током коллектора 200 А, разработанный для высоковольтных и сильноточных применений. Компонент обладает низким падением напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов, сварочного оборудования и систем управления электродвигателями.

Корпус TO-264 обеспечивает эффективный теплоотвод, а внутренний диод обратного хода (body diode) упрощает схемотехнику в мостовых конфигурациях.


Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|-----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT | | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1000 В | | Ток коллектора (IC) | 200 А (при 25°C) | | Ток импульсный (ICM) | до 400 А | | Падение напряжения (VCE(sat)) | 2.5 В (тип.) при IC = 200 А | | Рассеиваемая мощность (PD) | 500 Вт (с теплоотводом) | | Время включения (td(on)) | 40 нс (тип.) | | Время выключения (td(off)) | 300 нс (тип.) | | Тепловое сопротивление (RθJC) | 0.25 °C/Вт | | Корпус | TO-264 (3-выводной) | | Рабочая температура | -55°C до +150°C |


Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от IXYS (Littelfuse):

  • IXFN200N10T (аналог с улучшенными динамическими параметрами)
  • IXFN180N10P (180 А, 1000 В)

Совместимые аналоги от других производителей:

  • Infineon:
    • IKW75N65EH5 (75 А, 650 В, но с похожими характеристиками по динамике)
    • IKW200N60T (200 А, 600 В) – для менее высоковольтных применений.
  • STMicroelectronics:
    • STGW200NC60WD (200 А, 600 В, корпус TO-247)
  • Fuji Electric:
    • 2MBI200U4A-060 (200 А, 600 В, модульный вариант).

Кросс-производители (с проверкой распиновки!):

  • IRGP4063DPBF (International Rectifier, 90 А, 600 В) – частичная замена в низковольтных схемах.

Примечания по замене

  1. Напряжение: При выборе аналога убедитесь, что VCES ≥ 1000 В.
  2. Ток: Для высоконагруженных систем (например, инверторы) лучше использовать оригинал или IXFN200N10T.
  3. Корпус: TO-264 совместим с TO-247 по монтажу, но проверьте распиновку.

Если требуется модульный вариант (например, для частотных преобразователей), рассматривайте Infineon FF200R12KE3 (200 А, 1200 В, модуль).

Для уточнения параметров в конкретной схеме рекомендуется изучать даташиты и тестировать замену в реальных условиях.

Товары из этой же категории