IGBT IXSK50N60AU1

IGBT IXSK50N60AU1: Описание и технические характеристики

Описание

IXSK50N60AU1 — это N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный компанией IXYS (ныне часть Littelfuse). Модуль предназначен для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как:

• Инверторы и преобразователи
• Управление электродвигателями
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Сварочное оборудование
• Промышленные системы управления

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (600 В)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat) ≤ 2.1 В)
• Быстрое переключение с низкими динамическими потерями
• Встроенный обратный диод для защиты
• Термическая стабильность и надежность

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 75 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 50 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 150 А |
| Падение напряжения V_CE(sat) | ≤ 2.1 В (при I_C = 50 А) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт |
| Время включения (t_on) | 45 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Корпус | TO-247 |

Парт-номера и аналогичные модели

Прямые аналоги и совместимые модели:

• IXGH50N60B3D1 (IXYS, 600 В, 50 А)
• IRG4PC50UD (Infineon, 600 В, 55 А)
• FGA50N60SMD (Fairchild/ON Semi, 600 В, 50 А)
• STGW50NC60VD (STMicroelectronics, 600 В, 50 А)
• HGTG50N60B3 (Fairchild/ON Semi, 600 В, 50 А)

Похожие модели с другими параметрами:

• IXSK40N60AU1 (600 В, 40 А)
• IXSK75N60AU1 (600 В, 75 А)
• IXGH32N60B3D1 (600 В, 32 А)

Заключение

IGBT IXSK50N60AU1 обеспечивает высокую эффективность и надежность в силовых приложениях. Он совместим с рядом аналогов от других производителей, что позволяет легко найти замену при необходимости.

Если вам нужна более точная информация по заменам или схемам применения, уточните условия эксплуатации (частоту, нагрузку, температурный режим).