IGBT IXXK110N65B4H1

Описание и технические характеристики IGBT IXXK110N65B4H1

Производитель: IXYS (принадлежит Littelfuse)
Тип: IGBT-транзистор с кремниевой технологией
Назначение: Высоковольтные и высокочастотные приложения, такие как инверторы, импульсные источники питания, промышленные приводы, сварочное оборудование.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|---------------------------|-----------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 650 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 110 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 70 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 220 А |
| Мощность рассеяния (P_tot) | 625 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,85 В (при I_C = 110 А) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 220 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +175°C |
| Корпус | TO-264 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги от IXYS/Littelfuse:

• IXXK110N65B4 (без "H1" – возможно, другая версия упаковки)
• IXGH110N65B4 (близкий аналог, но может отличаться корпусом)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: IKW75N65EH5 (менее мощный, но сопоставимый по параметрам)
• STMicroelectronics: STGW75HF65WD (75 А, 650 В, требует проверки по схеме)
• Fairchild/ON Semiconductor: FGH60N65SMD (60 А, но с аналогичным напряжением)

Примечание: При замене необходимо учитывать не только электрические параметры, но и тепловые характеристики, а также особенности драйвера управления.

Применение и особенности

• Высокий КПД благодаря низкому напряжению насыщения.
• Быстрое переключение подходит для частотных преобразователей.
• Изолированный корпус TO-264 улучшает теплоотвод и безопасность.

Если нужна помощь в подборе аналога или проверке схемы – уточните условия работы (частоты, токи, охлаждение).