IGBT IXYH20N120C3D1

Описание IGBT IXYH20N120C3D1

IXYH20N120C3D1 – это IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом в корпусе TO-247, разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Этот компонент обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов, сварочного оборудования и электроприводов.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 20 A | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 10 A | | Пиковый ток (I_CM) | 40 A | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 10 A) | | Время включения (t_on) | 35 нс | | Время выключения (t_off) | 200 нс | | Диод обратного восстановления (Q_rr) | 1.5 мкКл | | Тепловое сопротивление (R_thJC) | 0.75 °C/Вт | | Корпус | TO-247 | | Диапазон температур | -55°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (совместимые модели):

• Infineon: IKW20N120H3
• STMicroelectronics: STGW20NC120HD
• Fairchild (ON Semiconductor): FGH20N120SFD
• Mitsubishi Electric: CM20DY-12H

Аналоги с близкими параметрами:

• IXYS (Littelfuse): IXGH20N120B3
• Toshiba: GT20Q321

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Системы управления двигателями
• Устройства плавного пуска

Примечания

• IXYH20N120C3D1 имеет встроенный ультрабыстрый обратный диод, что упрощает схемотехнику.
• Для эффективного теплоотвода рекомендуется использовать радиаторы с низким тепловым сопротивлением.
• При замене на аналог важно учитывать не только вольт-амперные характеристики, но и динамические параметры (t_on, t_off, Q_rr).

Если нужны дополнительные данные (графики, кривые), уточните!