IGBT K15T120

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT K15T120
Описание IGBT транзистора K15T120
K15T120 – это N-канальный IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и током коллектора 15 А. Применяется в мощных импульсных преобразователях, инверторах, сварочных аппаратах и системах управления двигателями.
Основные технические характеристики:
| Параметр | Значение |
|-------------------------|-------------------------------|
| Напряжение VCES | 1200 В |
| Ток коллектора IC (при 25 °C) | 15 А (макс.) |
| Ток коллектора IC (при 100 °C) | 8 А (макс.) |
| Пиковый ток ICM | 30 А |
| Напряжение насыщения VCE(sat) | 2.5 В (при 15 А) |
| Время включения ton | 60 нс (тип.) |
| Время выключения toff | 200 нс (тип.) |
| Рассеиваемая мощность PD | 100 Вт (при 25 °C) |
| Корпус | TO-3P (TO-247) |
| Диод встроенный | Да (антипараллельный диод) |
Альтернативные парт-номера и совместимые модели
- STMicroelectronics: STGW15NC120HD
- Infineon: IKW15N120H3
- Fairchild (ON Semiconductor): FGA15N120ANTD
- Mitsubishi Electric: CM15DY-12H
- Toshiba: GT15Q101
Применение:
- Инверторы и частотные преобразователи
- Сварочное оборудование
- ИБП (источники бесперебойного питания)
- Управление электродвигателями
Если нужны аналоги или уточнение параметров – укажите, какая именно информация вас интересует!