IGBT K229A02

Описание IGBT K229A02

IGBT K229A02 — это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и других устройствах, требующих высокого напряжения и тока.

Этот компонент обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой надежностью и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 15–30 А (зависит от условий охлаждения) | | Ток импульсный (I_CM) | до 60 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1,8–2,5 В | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | ~100–150 Вт | | Время включения (t_on) | ~50–100 нс | | Время выключения (t_off) | ~150–300 нс | | Корпус | TO-247 / TO-3P (возможны вариации) | | Температура хранения/эксплуатации | от -55°C до +150°C |

(Точные значения зависят от производителя и datasheet, рекомендуется уточнять в документации.)

Парт-номера и совместимые модели

Аналогом K229A02 могут быть следующие IGBT:

• IRG4PC50UD (International Rectifier, 600V, 23A)
• FGA25N120ANTD (Fairchild, 1200V, 25A) – для более высоких напряжений
• HGTG30N60A4D (ON Semiconductor, 600V, 34A)
• IXGH32N60B3D1 (IXYS, 600V, 32A)

Возможные замены (в зависимости от схемы):

• K269A02 (аналог с похожими параметрами)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics, 600V, 30A)
• APT30GR60J (Microsemi, 600V, 30A)

Примечание

Перед заменой рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров, особенно:

• напряжение V_CES,
• ток I_C,
• характеристики корпуса и монтажа.

Если вам нужна точная информация по конкретному производителю (например, Infineon, Mitsubishi, Fuji), уточните модель.