IGBT M50100TB1600

IGBT M50100TB1600: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT M50100TB1600 — это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и преобразователях частоты. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|---------------------------------| | Тип модуля | IGBT (с изолированным затвором) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1600 В | | Номинальный ток (I_C) | 100 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 200 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | ~300 Вт (зависит от охлаждения) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.5 В (при I_C = 100 А) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

IGBT M50100TB1600 может быть заменен или аналогами других производителей, такими как:

• Infineon: IKW75N160T2 (75 А, 1600 В)
• Fuji Electric: 2MBI100XB-160
• Mitsubishi: CM100DY-24H
• SEMIKRON: SKM100GB12T4
• IR (Infineon): IRG4PH50UD (50A, 1600V)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Индукционные нагреватели
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Тяговые преобразователи

Если вам нужны точные параметры для конкретной замены, уточните условия работы (частота переключений, охлаждение и т. д.).