IGBT M636

Описание IGBT M636

IGBT M636 — это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективных преобразователей энергии, импульсных источников питания, инверторов и систем управления электродвигателями. Отличается высокой скоростью переключения, низкими потерями проводимости и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики IGBT M636

• Тип транзистора: N-канальный IGBT
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): до 75 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): до 150 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 300 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)): 4–6 В
• Время включения (t_on): 35 нс
• Время выключения (t_off): 120 нс
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (возможны другие варианты)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IHW75N60R3, IKW75N60T
• Fairchild/ON Semiconductor: FGH75N60SMD, FGH75N60UFD
• STMicroelectronics: STGW75NC60VD, STGW75NC60WD
• Mitsubishi: CM75DY-24H
• Fuji Electric: 2MBI75N-060

Совместимые модели в схемах:

• Подходит для замены IGBT с параметрами 600 В / 50–100 А.
• Используется в инверторах, сварочных аппаратах, частотных преобразователях (например, в приводах Omron, Delta, Siemens).

Применение

• Силовые инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Солнечные инверторы

Если нужна более точная информация по конкретному бренду или корпусу, уточните детали.