IGBT mbb50as6

Описание IGBT модуля MBB50AS6

MBB50AS6 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным диодом, предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, преобразователях и других силовых электронных устройствах. Модуль обеспечивает высокую переключающую способность, низкие потери и хорошую термостабильность.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное коллектор-эмиттерное напряжение (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 30 А |
| Импульсный ток коллектора (I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 1,8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Тип корпуса | TO-247 (или аналогичный изолированный) |

Интегрированный диод

• Обратное напряжение (V_RRM): 600 В
• Прямой ток (I_F): 50 А
• Время восстановления (t_rr): 100 нс

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• STMicroelectronics: STGW50NC60WD
• Infineon: IKW50N60T
• Fuji Electric: 2MBI50S-060
• Mitsubishi Electric: CM50DY-12H

Совместимые модули в других корпусах:

• TO-3P: MG50Q6ES40
• Dual IGBT (полумост): SKM50GB063D

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Импульсные источники питания

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие характеристик в конкретном применении.