IGBT MBI100L-060

Описание IGBT MBI100L-060

MBI100L-060 – это изолированный модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) с интегрированным обратным диодом, предназначенный для мощных преобразователей, частотных приводов и инверторных систем. Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери при коммутации и хорошую термостабильность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 100 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 200 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2,1 В |
| Напряжение открытия (V_GE) | ±20 В |
| Время включения (t_on) | ≤ 100 нс |
| Время выключения (t_off) | ≤ 300 нс |
| Корпус | модуль (изолированный) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |
| Диод обратного восстановления | встроенный |
| Схема подключения | Half-Bridge (полумост) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Fuji Electric: 2MBI100L-060
• Infineon: FF100R06KE3
• Mitsubishi: CM100DY-24H
• SEMIKRON: SKM100GB066D
• IXYS: MBI100-060

Совместимые модели (по характеристикам):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• HGTG20N60A4D (ON Semiconductor)

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Системы управления двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Если нужна дополнительная информация по распиновке или специфическим параметрам, уточните!