IGBT MBI150NK-060

Описание IGBT MBI150NK-060

MBI150NK-060 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для управления высокими токами и напряжениями в мощных электронных устройствах. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах электропривода и других силовых приложениях.

Модуль обладает низкими коммутационными потерями, высокой температурной стабильностью и встроенным антипараллельным диодом для обратного тока.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип | IGBT с диодом |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 150 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 300 А |
| Макс. напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при 75°C) |
| Время включения (t_on) | ~60 нс |
| Время выключения (t_off) | ~200 нс |
| Корпус | модуль (изолированный) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.25°C/Вт |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные и эквивалентные модели:

• Mitsubishi Electric:
  • CM150DY-12NFH (аналог по характеристикам)
  • CM150DY-24NFH (аналог с другим напряжением)
• Fuji Electric:
  • 2MBI150N-060
  • 2MBI150U4B-060
• Infineon:
  • FF150R06KE3
  • FF150R06KT3
• Semikron:
  • SKM150GB066D
• ON Semiconductor:
  • NGTB50N60S2WG (частично совместим)

Совместимые модели в других брендах:

• Powerex (MBI серия)
• Hitachi (серия HGTG)
• Toshiba (MG серия)

Примечание

При замене модуля необходимо учитывать:

• Напряжение и токовые характеристики
• Габариты и расположение выводов
• Наличие встроенного диода
• Тепловые параметры

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять даташиты производителей.

Если требуется более детальная информация по конкретному аналогу, уточните условия применения.