IGBT mbm200hs6b

Описание IGBT модуля MBM200HS6B

MBM200HS6B – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Fuji Electric или аналогичного производителя, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и приводов. Модуль содержит два IGBT транзистора с антипараллельными диодами, что делает его подходящим для мостовых схем (например, полумост).

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|------------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 200 А |
| Пиковый ток (I_CP) | 400 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при 100 А) |
| Время включения (t_on) | ~100 нс |
| Время выключения (t_off) | ~300 нс |
| Корпус | Модуль (изолированный) |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |
| Схема включения | Полумост (2 IGBT + диоды) |

Парт-номера и совместимые модели:

Прямые аналоги:

• Fuji Electric: MBM200HS6B (оригинал)
• Mitsubishi: CM200DY-6B (аналог, 600V, 200A)
• Infineon: FF200R06KE3 (аналог, 600V, 200A)
• SEMIKRON: SKM200GB6D (аналог, 600V, 200A)

Возможные замены (с проверкой распиновки!):

• IR (Infineon): IRG4PH50UD (одиночный, но можно в паре)
• Toshiba: MG200Q6ES4 (аналог по параметрам)
• STMicroelectronics: STGW200NC60WD (NPT-IGBT, 600V, 200A)

Применение:

• Промышленные инверторы
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями
• Импульсные источники питания

Если вам нужен точный аналог, важно проверять распиновку и характеристики по даташиту, так как у разных производителей могут быть отличия в конструкции.