IGBT MBR25SA120-50

IGBT MBR25SA120-50
Артикул: 298689

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT MBR25SA120-50

Описание IGBT MBR25SA120-50

MBR25SA120-50 – это гибридный силовой модуль, сочетающий IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) и диод в одном корпусе. Предназначен для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как:

  • Инверторы и преобразователи частоты
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)
  • Сварочное оборудование
  • Промышленные приводы

Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями на проводимость и переключение, а также хорошей термостабильностью.


Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (IC) | 25 А |
| Ток короткого замыкания (ISC) | 50 А (макс.) |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ≤ 2.5 В (при 25 А) |
| Макс. частота переключения | 20–30 кГц |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | ≤ 0.5 °C/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -40...+150 °C |
| Корпус | TO-247, изолированный |

Встроенный диод:

  • Обратное напряжение (VRRM): 1200 В
  • Прямой ток (IF): 25 А

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

  • Infineon: IKW25N120H3
  • Fuji Electric: 2MBI25SA-120
  • Mitsubishi: CM25DY-12S
  • STMicroelectronics: STGW25NC120HD

Частично совместимые модели (требуется проверка распиновки):

  • IXYS IXGH25N120A
  • IR (Infineon) IRG4PH50UD
  • Toshiba MG25Q6ES40

Примечания:

  1. При замене аналогами учитывайте параметры VCES, IC и тепловые характеристики.
  2. Рекомендуется проверять datasheet на соответствие по распиновке и характеристикам.
  3. Для высоконагруженных систем (например, инверторы) важна эффективность охлаждения.

Если вам нужна дополнительная информация по конкретному аналогу или применению, уточните детали!

Товары из этой же категории