IGBT MBR25SA120-50

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT MBR25SA120-50
Описание IGBT MBR25SA120-50
MBR25SA120-50 – это гибридный силовой модуль, сочетающий IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) и диод в одном корпусе. Предназначен для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как:
- Инверторы и преобразователи частоты
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Сварочное оборудование
- Промышленные приводы
Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями на проводимость и переключение, а также хорошей термостабильностью.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (IC) | 25 А |
| Ток короткого замыкания (ISC) | 50 А (макс.) |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ≤ 2.5 В (при 25 А) |
| Макс. частота переключения | 20–30 кГц |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | ≤ 0.5 °C/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -40...+150 °C |
| Корпус | TO-247, изолированный |
Встроенный диод:
- Обратное напряжение (VRRM): 1200 В
- Прямой ток (IF): 25 А
Альтернативные парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги:
- Infineon: IKW25N120H3
- Fuji Electric: 2MBI25SA-120
- Mitsubishi: CM25DY-12S
- STMicroelectronics: STGW25NC120HD
Частично совместимые модели (требуется проверка распиновки):
- IXYS IXGH25N120A
- IR (Infineon) IRG4PH50UD
- Toshiba MG25Q6ES40
Примечания:
- При замене аналогами учитывайте параметры VCES, IC и тепловые характеристики.
- Рекомендуется проверять datasheet на соответствие по распиновке и характеристикам.
- Для высоконагруженных систем (например, инверторы) важна эффективность охлаждения.
Если вам нужна дополнительная информация по конкретному аналогу или применению, уточните детали!