IGBT MCC13216IO1B

Описание IGBT MCC132-16IO1B

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) MCC132-16IO1B – это силовой полупроводниковый модуль, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как инверторы, преобразователи частоты, системы управления электродвигателями и промышленные источники питания. Модуль сочетает в себе преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярных транзисторов (низкие потери проводимости).

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1600 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 132 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 264 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.5 В (при 132 А) |
| Макс. рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Тип корпуса | Стандартный модульный (изолированный) |
| Встроенный диод | Да (антипараллельный) |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | 100 нс / 500 нс |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• MCC132-16IO1B (полное обозначение)
• MCC13216IO1B (возможный вариант записи)

Совместимые / аналогичные модели:

• CM132DY-24S (Mitsubishi)
• FF200R12KE3 (Infineon)
• FZ3600R17KE3 (Infineon, с более высокими параметрами)
• MG1300J2YS50 (Hitachi)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные инверторы

Примечание

Рекомендуется уточнять datasheet производителя для точных параметров, так как технические характеристики могут незначительно отличаться в зависимости от производителя и модификации.

Если нужна более детальная информация по конкретному аналогу или схема подключения, уточните запрос!