IGBT MG100J2YS40

Описание IGBT MG100J2YS40

MG100J2YS40 — это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) от Toshiba, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и других высоковольтных приложений. Модуль сочетает высокую переключательную способность, низкие потери и надежную конструкцию, что делает его популярным в промышленном и силовом электрооборудовании.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Производитель | Toshiba |
| Тип устройства | IGBT-модуль (NPT-IGBT) |
| Конфигурация | Одиночный IGBT + диод (Half-Bridge) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 100 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (I_C) при 80°C | ~70 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 200 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.5 В (при 100 А) |
| Время включения (t_on) | ~50 нс |
| Время выключения (t_off) | ~300 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | Изолированный (Module, 6-выводной) |

Совместимые модели и парт-номера

Аналоги и замены (проверяйте распиновку и характеристики!):

• Toshiba: MG100J2YS50 (1200V, 100A, улучшенные параметры)
• Infineon: FF100R12KT4 (1200V, 100A, аналогичный модуль)
• Fuji Electric: 2MBI100U4A-120 (1200V, 100A, Half-Bridge)
• Mitsubishi: CM100DY-24H (1200V, 100A, устаревшая модель)

Важно: При замене учитывайте:

• Напряжение и ток.
• Конфигурацию модуля (Half-Bridge, Full-Bridge и т.д.).
• Тепловые и электрические параметры.

Применение

• Промышленные инверторы.
• Сварочные аппараты.
• Приводы электродвигателей (частотные преобразователи).
• ИБП и солнечные инверторы.

Если нужны дополнительные данные (например, графики V_CE или точные параметры диода), уточните!