IGBT MG100J2YS41

Описание IGBT MG100J2YS41

MG100J2YS41 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его подходящим для инверторов, промышленных приводов, сварочного оборудования и систем управления электродвигателями.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип устройства | IGBT-модуль (NPT, Trench Gate) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 100 А (при 25°C) |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 200 А |
| Рассеиваемая мощность (P_d) | 400 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.0 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 50 нс (тип.) |
| Время выключения (t_off) | 300 нс (тип.) |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | 2-выводной (изолированный) |
| Схема внутренних компонентов | Одиночный IGBT с антипараллельным диодом |

Парт-номера и аналоги

Оригинальный номер производителя:

• MG100J2YS41 (Mitsubishi Electric)

Совместимые аналоги (cross-reference):

• Infineon: FF100R12KT4
• Fuji Electric: 2MBI100U4H-120
• SEMIKRON: SKM100GB12T4
• IXYS (Littelfuse): MIXA100PH1200
• Toshiba: MG100Q2YS41 (аналог с похожими характеристиками)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями
• Солнечные инверторы

Примечание

При замене на аналог рекомендуется проверять распиновку и характеристики (особенно V_CE, I_C и тепловые параметры).

Если нужна дополнительная информация по конкретному аналогу или схемам подключения, уточните запрос!