IGBT MG100J6ES45

Описание IGBT MG100J6ES45

MG100J6ES45 — это мощный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:

• Промышленные инверторы
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями
• Импульсные источники питания

Модуль обладает высокой надежностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью благодаря конструкции с изолированным корпусом.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------|-----------|
| Тип прибора | IGBT + диод (NPT-технология) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 450 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 100 А |
| Ток короткого импульса (I_CP) | 200 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при 50 А) |
| Время включения (t_on) | 80 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги:

• FGA100N60SFD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH100N60B3 (IXYS/Littelfuse)
• IRG4PC50UD (Infineon)
• STGW100NC60WD (STMicroelectronics)

Совместимые модели (схожие параметры):

• MG75J6ES45 (75 А, 450 В)
• MG50J6ES45 (50 А, 450 В)
• MG100J6ES50 (100 А, 500 В)

Примечания

1. Замена: При выборе аналога важно учитывать не только электрические параметры, но и тепловые характеристики.
2. Охлаждение: Рекомендуется использовать радиатор с тепловым сопротивлением не более 0.5 °C/Вт.
3. Производитель: Оригинальный модуль выпускался компанией Mitsubishi Electric, но снят с производства.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы включения), уточните запрос.