IGBT MG100N2YS1

Описание IGBT MG100N2YS1

MG100N2YS1 — это IGBT-транзистор с напряжением 1200 В и током 100 А, предназначенный для применения в мощных инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его эффективным решением для высоковольтных приложений.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 100 А | | Ток коллектора (I_C) при 80°C | 50 А | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 200 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при I_C = 100 А) | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 250 нс | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (замены):

• IXGH100N120B3 (IXYS)
• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA100N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• CM100DY-12H (Powerex/Mitsubishi)

Близкие по характеристикам:

• MG75N2YS1 (75 А, 1200 В)
• MG50N2YS1 (50 А, 1200 В)
• MG100Q2YS51 (100 А, 1200 В, другой корпус)

Применение

• Силовые инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется сверять спецификации и параметры перед заменой. Для уточнения наличия и цены лучше обращаться к официальным дистрибьюторам (например, Digi-Key, Mouser, TME).

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!